HN11C高壓開關(guān)綜合測(cè)試儀高準(zhǔn)度回路電阻測(cè)試儀 HN11C系列 真空度測(cè)量?jī)x 試驗(yàn)方法
一、功能特點(diǎn) 

測(cè)試指標(biāo)：可測(cè)試國產(chǎn)（進(jìn)口）真空、六氟化硫、油高壓斷路器，負(fù)荷開關(guān)、GIS接地刀閘開關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道：可抵御550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電干擾！在大多數(shù)流量表應(yīng)用中，主Arm-M4F應(yīng)用微控制器(MCU)可能僅需要每天傳輸兩三次測(cè)量結(jié)果。主MCU能在兩次傳輸之間保持待機(jī)模式，這顯著降低了系統(tǒng)的平均電流消耗。監(jiān)控水或燃?xì)饬髁渴冀K是必須要做的工作，因此您可以部署立的16位MCU超低功率協(xié)處理器，由該協(xié)處理器在主MCU待機(jī)時(shí)實(shí)施低功率測(cè)量。Simplelink?CC1312andCC1352R/P設(shè)備平臺(tái)(見圖1)及其超低功率傳感器控制器使您能夠獲得低功率并管理應(yīng)用、計(jì)量和無線射頻(RF)通信，所有這些功能均由單一芯片承載。

位移通道：1路位移信號(hào)采集，適配耐用的精密電阻線性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶傳統(tǒng)自配的滑線電阻傳感器。

同步觸發(fā)：可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無電位接點(diǎn)操作控制模塊，無彈跳接點(diǎn)，接點(diǎn)開斷容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界面：5.7″黑白液晶屏，菜單式操作，并在面板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器，傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單；同時(shí)也可配置滑線電阻傳感器和角度傳感器；并配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架；示波器的采樣根據(jù)Nyquist采樣定理，當(dāng)對(duì)一個(gè)頻率為f的帶限信號(hào)進(jìn)行采樣時(shí)，采樣頻率SF必須大于f的兩倍以上才能確保從采樣值完全重構(gòu)原來的信號(hào)。這里，f稱為Nyquist頻率，2f為Nyquist采樣率。對(duì)于正弦波，每個(gè)周期至少需要兩次以上的采樣才能保證數(shù)字化后的脈沖序列能較為準(zhǔn)確的還原原始波形。如果采樣率低于Nyquist采樣率則會(huì)導(dǎo)致混迭（Aliasing）現(xiàn)象。采樣率SF2f，混迭失真和顯示的波形看上去非常相似，但是頻率測(cè)量的結(jié)果卻相差很大，究竟哪一個(gè)是正確的？仔細(xì)觀察我們會(huì)發(fā)現(xiàn)中觸發(fā)位置和觸發(fā)電平?jīng)]有對(duì)應(yīng)起來，而且采樣率只有250MS/s，中使用了20GS/s的采樣率，可以確定，顯示的波形欺騙了我們，這即是一例采樣率過低導(dǎo)致的混迭（Aliasing）給我們?cè)斐傻募傧瘛?img alt="高準(zhǔn)度回路電阻測(cè)試儀 HN11C系列 真空度測(cè)量?jī)x 試驗(yàn)方法" src="https://y1.yzimgs.com/uploads//20210916-14144130.jpg">

速度定義：提供了常用的開關(guān)速度定義庫和可編輯速度定義庫兩種模式可供用戶自行選擇。

錄波功能：12路普通金屬觸頭通斷、線圈電流；行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫功能，測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫斷路器型號(hào)，無需特別設(shè)置

U盤存儲(chǔ)：可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤，直接用上位機(jī)軟件打開。

在線幫助：儀器內(nèi)置豐富的接線、安裝、測(cè)試操作幫助。無說明書就能簡(jiǎn)單使用。但實(shí)際情況卻相差很遠(yuǎn)，并不是電容越大對(duì)高速電路越有利，反而小電容才能被應(yīng)用于高頻。濾波電容用在電源整流電路中，用來濾除交流成分，使輸出的直流更平滑。去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方，用來消除自激，使放大器穩(wěn)定工作。旁路電容用在有電阻連接時(shí)，接在電阻兩端使交流信號(hào)順利通過。關(guān)于去耦電容蓄能作用的理解去耦電容主要是去除高頻如RF信號(hào)的干擾，干擾的進(jìn)入方式是通過電磁輻射。而實(shí)際上，芯片附近的電容還有蓄能的作用，這是位的。