HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 三回路配電箱溫升測(cè)試儀HNDL 母線槽溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修 

用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。整流電路測(cè)試是教育課程及相關(guān)電子行業(yè)不可缺少的環(huán)節(jié)。以下波形由非隔離信號(hào)源產(chǎn)生。當(dāng)使用非隔離信號(hào)源時(shí)，D1二極管的每一端分別與信號(hào)源和示波器的相應(yīng)地線連接。這種方式會(huì)出現(xiàn)等電位短路，因此不能顯示負(fù)半周整流波形。以下波形由隔離通道信號(hào)源產(chǎn)生。隔離信號(hào)源的輸出信號(hào)地線不與示波器共同接地，因此可以模擬整流波形輸出。只有隔離的信號(hào)源才能顯示橋式整流電路的正確波形。為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)驗(yàn)?zāi)繕?biāo)，一些非隔離信號(hào)源的用戶傾向于斷開(kāi)電源線的接地，從而導(dǎo)致儀器浮地。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC范圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

電源完整性(PI)是電子行業(yè)中廣泛使用的一個(gè)術(shù)語(yǔ)，可系統(tǒng)內(nèi)部電源從源端向負(fù)載轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)男省ｋS著數(shù)字信號(hào)速率的不斷提升，特別是提升到10Gbps以上數(shù)量級(jí)后，電源完整性的測(cè)量成為關(guān)鍵測(cè)試項(xiàng)目之一。測(cè)量?jī)?nèi)容PARD—周期和隨機(jī)偏差，描述了在其他所有參數(shù)均為常數(shù)時(shí)直流輸出與直流平均值的偏差，用來(lái)衡量直流輸出經(jīng)過(guò)電壓調(diào)整和濾波電路之后所殘留的多余的交流和噪聲分量。負(fù)載響應(yīng)—指一個(gè)靜態(tài)或瞬態(tài)負(fù)載，根據(jù)預(yù)先確定的負(fù)載可以衡量電源維持在輸出電壓范圍內(nèi)的能力。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

三回路配電箱溫升測(cè)試儀HNDL 母線槽溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 5年保修磁耦器件可提供5000Vrms/min及6000V/10sec的電壓隔離保護(hù)，多種型號(hào)的磁耦帶有±15KV的ESD保護(hù)。長(zhǎng)壽命。采用芯片級(jí)變壓器技術(shù)傳輸信號(hào)，消除光耦傳輸時(shí)的器件損耗。器件內(nèi)部基本不存在損耗，正常工作條件下至少達(dá)到50年工作壽命。低功耗。磁耦基于芯片級(jí)變壓器傳輸原理，信號(hào)傳輸時(shí)幾乎不存在能量損耗，因此能以極低的功耗實(shí)現(xiàn)高度的數(shù)據(jù)隔離。相同速率下，其功耗僅為光耦的1/10~1/6。電源隔離信號(hào)通道做隔離后，建議電源通道也做隔離，可直接采用帶隔離的DC-DC隔離模塊實(shí)現(xiàn)，如下圖所示。