HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
沖擊電壓發(fā)生器HNHY 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 容量大 定制定做產(chǎn)品簡介：

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用范圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊，雷電截?cái)嗖ǎ僮鳑_擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類沖擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備制造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。放置于室外的傳感器端子箱有可能受到雷電接觸放電；位于機(jī)房內(nèi)的DCS機(jī)柜有可能受到大樓立柱泄流時(shí)的空氣放電。信號(hào)線端口（含天饋線、數(shù)據(jù)線、控制線等）在控制系統(tǒng)中,為了實(shí)現(xiàn)信號(hào)或信息的傳遞總要有與外界連接的部位,如過程控制系統(tǒng)的信號(hào)交接端的總配線架、數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)的終端、微波設(shè)備到天線的饋線口等等，那么這些從外界接收信號(hào)或發(fā)射信號(hào)出去的接口都有可能受到雷電浪涌沖擊。因?yàn)閺臉峭庑盘?hào)端口進(jìn)來的浪涌往往通過長電纜，所以采用10/700μs波形，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定線到線間浪涌電壓為0.5kV，線到地間浪涌電壓為1kV。

產(chǎn)品別稱：沖擊電壓發(fā)生器，雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電沖擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

干擾源、干擾種類及干擾現(xiàn)象傳感器及儀器儀表在現(xiàn)場運(yùn)行所受到的干擾多種多樣，具體情況具體，對(duì)不同的干擾采取不同的措施是抗干擾的原則。這種靈活機(jī)動(dòng)的策略與普適性無疑是矛盾的，解決的辦法是采用模塊化的方法，除了基本構(gòu)件外，針對(duì)不同的運(yùn)行場合，儀器可裝配不同的選件以有效地抗干擾、提高可靠性。在進(jìn)一步討論電路元件的選擇、電路和系統(tǒng)應(yīng)用之前，有必要影響模擬傳感器精度的干擾源及干擾種類。主要干擾源靜電感應(yīng)靜電感應(yīng)是由于兩條支電路或元件之間存在著寄生電容，使一條支路上的電荷通過寄生電容傳送到另一條支路上去，因此又稱電容性耦合。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動(dòng)作可靠。按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的范圍：2.7V-3.6V；不允許超出此范圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限制？詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測試“高頻開關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端，而通過后端的外圍模塊后在末端進(jìn)行測試的時(shí)候，電源通過了一段PCB走線，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限制，實(shí)際上是將原本屬于模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進(jìn)行了對(duì)比測試進(jìn)行驗(yàn)證：步，我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出，如下圖：通過直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過測試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問題，接下來，我們直接在通過整個(gè)模塊后在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測量，如下圖：當(dāng)我們在圖片上的點(diǎn)進(jìn)行測試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在高頻開關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)范要求的范圍，值達(dá)到了3.814V，峰峰值達(dá)854mV；但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候，高頻開關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的范圍內(nèi)；正如在本文開頭描述的，在本次高頻開關(guān)電源測試過程中，已經(jīng)不是高頻開關(guān)電源紋波測量，而應(yīng)該是噪聲。沖擊電壓發(fā)生器HNHY 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 容量大 定制定做

4、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗干擾能力強(qiáng)。