HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
來(lái)電咨詢 沖擊電壓發(fā)生器 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 感應(yīng)耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

其更常用的說(shuō)法為折合到輸入端噪聲。折合到輸入端噪聲通常用將直流輸入施加到轉(zhuǎn)換器時(shí)的若干輸出樣本的直方圖來(lái)表征。大多數(shù)高速或高分辨率ADC的輸出為一系列以直流輸入標(biāo)稱值為中心的代碼。為了測(cè)量其值，ADC的輸入端接地或連接到一個(gè)深度去耦的電壓源，然后采集大量輸出樣本并將其表示為直方圖（有時(shí)也稱為“接地輸入”直方圖）-見(jiàn)。由于噪聲大致呈高斯分布，因此可以計(jì)算直方圖的標(biāo)準(zhǔn)差σ，它對(duì)應(yīng)于有效輸入均方根噪聲，表示為L(zhǎng)SBrms。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

已介紹過(guò)透明轉(zhuǎn)換模式的轉(zhuǎn)換方法，本文將以CSM100系列的模塊簡(jiǎn)述模塊的透明帶標(biāo)識(shí)轉(zhuǎn)換格式。該轉(zhuǎn)換模式串行幀中的“幀ID”自動(dòng)轉(zhuǎn)換成CAN報(bào)文中的幀ID。只要在配置中告訴模塊該“幀ID”的地址編號(hào)在串行幀的起始位置和長(zhǎng)度，模塊在轉(zhuǎn)換時(shí)提取出這個(gè)“幀ID”填充在CAN報(bào)文的幀ID域里，作為該串行幀轉(zhuǎn)發(fā)時(shí)的CAN報(bào)文的幀ID。在CAN報(bào)文轉(zhuǎn)換成串行幀的時(shí)候也把CAN報(bào)文幀ID轉(zhuǎn)換在串行幀的相應(yīng)位置。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級(jí)封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過(guò)改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級(jí)封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測(cè)試等技術(shù)，在技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中對(duì)以上領(lǐng)域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造領(lǐng)域巨頭臺(tái)積電能夠拿下蘋(píng)果A10訂單，其開(kāi)發(fā)的集成扇出型封裝技術(shù)功不可沒(méi)。