HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
規(guī)格齊全 沖擊電壓發(fā)生裝置 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 感應(yīng)耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

為了從頻率角度說(shuō)明概念，展示了一個(gè)帶有來(lái)自直接變頻架構(gòu)的兩個(gè)發(fā)送信號(hào)的示例。在這些示例中，射頻位于LO的。在直接變頻架構(gòu)中，鏡像頻率和三次諧波出現(xiàn)在LO的相對(duì)側(cè)，并顯示在LO頻率下方。當(dāng)將不同通道的LO頻率設(shè)置為相同的頻率時(shí)，雜散頻率也處于相同的頻率，如a所示。b所示為L(zhǎng)O2的設(shè)置頻率高于LO1的情況。數(shù)字NCO同等地偏移，使RF信號(hào)實(shí)現(xiàn)相干增益。鏡像和三次諧波失真積處于不同的頻率，因此不相關(guān)。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

據(jù)，216年汽車電子標(biāo)簽(OBU)的市場(chǎng)需求量有近千萬(wàn)套。某國(guó)內(nèi)ETC行業(yè)的企業(yè)，OBU年銷量達(dá)數(shù)百萬(wàn)套。他們?cè)谝豢頞BU中使用某MCU廠商的Cortex-M3內(nèi)核芯片作為主控MCU，量產(chǎn)時(shí)采用為在線編程的方式，在PCB板上，對(duì)MCU進(jìn)行批量燒錄。就像：在燒片過(guò)程中，客戶發(fā)現(xiàn)燒錄良率非常低，經(jīng)常莫名的燒錄失敗。每天幾千套的產(chǎn)能要求，低良率生產(chǎn)，讓生產(chǎn)部門在燒錄環(huán)節(jié)束手無(wú)策。為提高產(chǎn)能效率及燒錄的穩(wěn)定性，客戶請(qǐng)求技術(shù)支持。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

傅立葉變換紅外光譜技術(shù)結(jié)合其多種形式的非接觸測(cè)量方式，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體的主被動(dòng)測(cè)量，非常適合用于化工業(yè)園區(qū)的排放現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)。FTIR技術(shù)用于氣體定量存在兩個(gè)主要問(wèn)題，一是氣體分子吸收截面受氣壓、溫度影響明顯，二是FTIR系統(tǒng)的分辨率一般遠(yuǎn)小于氣體分子譜線的展寬，儀器線型受到干涉圖采樣，切趾和輻射入射立體角等因素影響。這些影響因素使得表觀譜線產(chǎn)生難以忽略的偏移和展寬。20世紀(jì)80年代后期，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，環(huán)境監(jiān)測(cè)技術(shù)迅速發(fā)展，儀器，計(jì)算機(jī)控制等現(xiàn)代化手段在大氣環(huán)境監(jiān)測(cè)中得到了廣泛應(yīng)用，自動(dòng)連續(xù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)相繼問(wèn)世。