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HN1015A蓄電池充放電,活化測試儀 蓄電池容量測試儀 蓄電池放電儀 蓄電池循環(huán)充放電儀 大量供應(yīng)
具有對蓄電池組進(jìn)行內(nèi)阻測試、容量評估功能。具有對蓄電池組多項(xiàng)指標(biāo)性能進(jìn)行在線監(jiān)測的功能:在電池組處于在線放電、均充、浮充狀態(tài)下,可對電池組以及每個(gè)單體電池進(jìn)行實(shí)時(shí)在線監(jiān)測,監(jiān)測內(nèi)容包括:電池整組電壓、每一節(jié)單體電池電壓、電池組充放電電流、電池組監(jiān)測時(shí)間、電池組充放電容量等指標(biāo)。
主機(jī)接線說明
2.5.1接線、拆線原則
l 測試前接線時(shí)應(yīng)按照“先儀器,后電池”的順序進(jìn)行接線,即:先接儀器端的連線,后接電池端的連線。
l 測試完畢,用戶拆線時(shí)應(yīng)按“先電池、后儀器”的順序進(jìn)行拆線,即先拆電池端的連線,后拆儀器端的連接。
2.5.2 放電電纜的連接
l 放電電纜線將測試儀的“放電電流接口”與電池組并接。
l 注:“正”(紅色)接電池組正極,“負(fù)”(黑色)接電池組負(fù)極。 嚴(yán)禁接反!
2.5.3 整組電壓采集線的連接
l 用整組電壓采集線將測試儀“整組電壓”與電池組正、負(fù)極并接。
l 注:整組電壓線的“正”(紅色夾子)接電池組正極,“負(fù)”(黑色夾接電池組負(fù)極。 嚴(yán)禁接反!
2.5.4 連接測試儀供電220V電源線。當(dāng)采用直流供電時(shí)不接。
斜視角的熱像儀系統(tǒng)(記錄高分辨率三維圖像)通常用于勘查城市地區(qū)以及從空中獲取地理數(shù)據(jù)。直到217年,這些系統(tǒng)都未能記錄3D熱圖像。為了滿足這一需求,德國德紹的安哈爾特應(yīng)用科學(xué)大學(xué)的一個(gè)研究小組開發(fā)了一種熱成像/RGB系統(tǒng),該系統(tǒng)通過重疊使用四臺數(shù)字?jǐn)z像機(jī)和四臺FLIRA65sc紅外熱像儀采用25°視場拍攝的圖像,生成三維圖像。FLIRA65sc熱成像溫度傳感器。安哈爾特應(yīng)用科學(xué)大學(xué)的地理信息與測量研究所的其中一個(gè)項(xiàng)目包括開發(fā)一種新型熱成像和RGB攝像機(jī)系統(tǒng),該系統(tǒng)通過重疊使用八臺攝像機(jī)從旋翼機(jī)拍攝的圖片來生成三維圖像。16年4月,負(fù)責(zé)研究所的地理數(shù)據(jù)采集和傳感技術(shù)部門的LutzBannehr教授提出了這個(gè)想法。雖然具有極高分辨率的3D攝像機(jī)系統(tǒng)(稱為RGB斜視角攝像機(jī)系統(tǒng))可用,但這些系統(tǒng)都不能提供熱數(shù)據(jù)提供的優(yōu)勢。Bannehr教授在熱成像領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),他于21年購買了FLIRSC3制冷型紅外熱像儀,并參加了熱成像培訓(xùn)。他確信使用非制冷型紅外熱像儀的解決方案也是可行的。紅外熱像儀有許多潛在用途,包括:收集庫存數(shù)據(jù)、監(jiān)視、露天采礦作業(yè)中的體積監(jiān)測、森林火災(zāi)監(jiān)測、絕緣、光伏和太陽能供熱系統(tǒng)的產(chǎn)量估算、環(huán)境監(jiān)測、地質(zhì)和地形成像,甚至用于生成數(shù)字城市模型。
2.6電量采集(選配)
l 測試儀工作于在線監(jiān)測時(shí),電量采集器用于監(jiān)測電池組的充放電電流。
l 測試儀工作于放電測試時(shí),電量采集器用于測戶設(shè)備的放電電流。
l 電量采集器指示方向?yàn)殡姵亟M充電電流方向,請勿接反
2.7并機(jī)接線(選配)
l 必須具備兩臺儀器。
l 每臺儀器分別連接好測試線。
l 將兩臺儀器通過RS485接口連接一起。
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個(gè)問題,也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。