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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱(chēng):雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠(chǎng)商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類(lèi)高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊,雷電截?cái)嗖?,操作衝擊及用戶(hù)要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類(lèi)衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶(hù)提出來(lái)的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備製造廠(chǎng),鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專(zhuān)院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。其中,n為大於1的自然數(shù),an代表第n個(gè)補(bǔ)償周期獲取的補(bǔ)償參數(shù),mn-1代表第n-1個(gè)補(bǔ)償周期存儲(chǔ)的補(bǔ)償餘數(shù),nn代表RTC模塊的補(bǔ)償單位,b代表RTC模塊的補(bǔ)償單位的整數(shù)倍,mn代表第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)。在第n個(gè)補(bǔ)償周期中,所述根據(jù)所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值和所述補(bǔ)償餘數(shù)對(duì)RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn),具體包括:按照所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償校準(zhǔn)值對(duì)所述RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn),並存儲(chǔ)所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償餘數(shù)。

 

產(chǎn)品彆稱(chēng):衝擊電壓發(fā)生器,雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電衝擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

x10檔結(jié)構(gòu)模型此時(shí)示波器輸入信號(hào)衰減為被測(cè)入信號(hào)的1/10。對(duì)於較高頻率的輸入信號(hào),容抗對(duì)於信號(hào)的影響會(huì)大於阻抗。,在x10檔時(shí),輸入阻抗為10MΩ,輸入電容10pF,輸入信號(hào)的頻率為100MHz,此時(shí),輸入容抗為Xc(Cp)=1/(2×π×f×C)=159Ω,此時(shí)容抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小於阻抗,信號(hào)電流更多的會(huì)通過(guò)輸入電容提供的低阻回路,而高阻回路等效為旁路。作為測(cè)試的環(huán)節(jié),能否將信號(hào)高保真的傳輸至示波器是能否準(zhǔn)確測(cè)試的重點(diǎn),所以,在測(cè)試較高頻率信號(hào)時(shí),需注意的帶寬和輸入電容是否合適,下表為ZDS2000係列示波器標(biāo)配參數(shù)。雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,並采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用係數(shù)高,雷電波和操作波分彆不低於85%80%

 

3、調(diào)波方便,操作簡(jiǎn)單,同步性能好,動(dòng)作可靠。與其他靈敏的SMU相比,4201-SMU和4211-SMU的電容指標(biāo)已經(jīng)提高,這些SMU模塊用於可配置的Model4200A-SCS參數(shù)儀,使用Clarius+軟件進(jìn)行交互控製。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測(cè)量的多種應(yīng)用實(shí)例,包括測(cè)試:平板顯示器上的OLED像素器件、長(zhǎng)電纜MOSFET傳遞特點(diǎn)、通過(guò)開(kāi)關(guān)矩陣連接的FET、卡盤(pán)上的納米FETI-V測(cè)量、電容器泄漏測(cè)量。雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電子式多倍頻發(fā)生器定製定做

 

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗乾擾能力強(qiáng)。

 


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