HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓試驗裝置生產(chǎn)廠家產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標準雷電衝擊，雷電截斷波，操作衝擊及用戶要求的非標準衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗波形（標準的和非標準的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。電子元器件的降額等級可以參考《標準——元器件降額準則GJB/Z35-93》，一般可分成三個降額等級：Ⅰ級降額：I級降額是的降額，適用於設(shè)備故障將會危及**，導(dǎo)致任務(wù)失敗和造成嚴重經(jīng)濟損失的情況。Ⅱ級降額：工作應(yīng)力減小對元器件可靠性增長有明顯效益，適用於設(shè)備故障會使工作任務(wù)降級，或需支付不合理的維修費用。Ⅲ級降額：Ⅲ級降額是的降額，相對來說元器件成本也較低。適用於設(shè)備故障對工作任務(wù)的完成隻有小的影響，或可迅速、經(jīng)濟地加以修複。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗裝置

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易製造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負載下能產(chǎn)生標準衝擊波，負載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。按照存儲芯片MicroSD卡供電要求的範圍：2.7V-3.6V；不允許超出此範圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會有比較大的風(fēng)險，甚至?xí)ㄆ恼９ぷ鲙碛绊?。需要考慮的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進行20MHZ的帶寬限製？詳細的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測試“高頻開關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來的那個端口可以當做電源的源端，而通過後端的外圍模塊後在末端進行測試的時候，電源通過了一段PCB走線，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限製，實際上是將原本屬於模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進行了對比測試進行驗證：步，我先驗證IPAD的供電端在工作時的輸出，如下圖：通過直接驗證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過測試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問題，接下來，我們直接在通過整個模塊後在MicroSD卡的供電腳SDVCC對電行測量，如下圖：當我們在圖片上的點進行測試的時候，發(fā)現(xiàn)在高頻開關(guān)電源上有相當大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)範要求的範圍，值達到了3.814V，峰峰值達854mV；但當我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時候，高頻開關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的範圍內(nèi)；正如在本文開頭描述的，在本次高頻開關(guān)電源測試過程中，已經(jīng)不是高頻開關(guān)電源紋波測量，而應(yīng)該是噪聲。衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓試驗裝置生產(chǎn)廠家

4、采用恒流充電自動控製技術(shù)，自動化程度高，抗乾擾能力強。