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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
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簡(jiǎn)單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊,雷電截?cái)嗖?,操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來(lái)的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備製造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。LED的芯片其實(shí)就是個(gè)半導(dǎo)體,有如以下的IV曲線。反向電壓如果加的過(guò)高,LED會(huì)因被擊穿而損壞,所以很多時(shí)候我們需要去測(cè)量反向電壓。若隻是單純要測(cè)量芯片的特性,基本上使用電源和萬(wàn)用表即可。主要可測(cè)試的項(xiàng)目包括正向電壓、擊穿電壓、漏電流…測(cè)試LED的整體IV曲線特性幾個(gè)參數(shù)正向電壓:Vf擊穿電壓:Vr漏電流:IL這些項(xiàng)目的測(cè)試其實(shí)並不算困難,但必須要選對(duì)合適的測(cè)量?jī)x器。若是選擇了不適合的測(cè)量?jī)x器,測(cè)試的值誤差則會(huì)非常大。

 

產(chǎn)品彆稱:衝擊電壓發(fā)生器,雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電衝擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

由於所有的物體均發(fā)射熱輻射,熱輻射是物體溫度的函數(shù),該數(shù)據(jù)可用來(lái)以一種非接觸的方式?jīng)Q定物體的確切溫度。整個(gè)雲(yún)臺(tái)通過(guò)以太網(wǎng)與機(jī)器人主控電腦連接,主控製器通過(guò)網(wǎng)絡(luò)對(duì)紅外熱成像、高清相機(jī)和雲(yún)臺(tái)運(yùn)動(dòng)進(jìn)行控製。熱成像輸出CVBS模擬和高清相機(jī)數(shù)字通過(guò)壓縮板進(jìn)行H264編碼壓縮,再傳輸?shù)街骺仉娔X。熱成像測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)通過(guò)以太網(wǎng)接穿頻壓縮板直達(dá)主控製器,向主控製器提供每秒多幀的全屏測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)、溫信息,同時(shí)也根據(jù)被測(cè)溫設(shè)備特性從主控製獲取輻射率、距離、區(qū)域信息等,結(jié)合機(jī)器人的預(yù)置位能力,可以有效保證測(cè)溫的準(zhǔn)確性和多次測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)的數(shù)據(jù)可對(duì)比性。雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,並采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用係數(shù)高,雷電波和操作波分彆不低於85%80%

 

3、調(diào)波方便,操作簡(jiǎn)單,同步性能好,動(dòng)作可靠。當(dāng)?shù)皖l時(shí),電容C由於阻抗Z比較大,有用信號(hào)可以順利通過(guò);當(dāng)高頻時(shí),電容C由於阻抗Z已經(jīng)很小了,相當(dāng)於把高頻噪聲短路到GND上去了。電容濾波在何時(shí)會(huì)失效整改中常常會(huì)使用電容這種元器件進(jìn)行濾波,往往有“大電容濾低頻,小電容濾高頻”的說(shuō)法。以常見(jiàn)的表貼式MLCC陶瓷電容為例,進(jìn)行等效模型如下:容值10nF,封裝0603的X7R陶瓷的模型參數(shù)如下:由於等效模型中既有電容C,也有電感L,組成了二階係統(tǒng),就存在不穩(wěn)定性。雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途

 

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗乾擾能力強(qiáng)。

 


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