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HN11C高壓開(kāi)關(guān)綜合測(cè)試儀三通道回路電阻測(cè)試儀 HN11C係列 安秒特性測(cè)試儀 用心品質(zhì)
一、功能特點(diǎn)
測(cè)試指標(biāo):可測(cè)試國(guó)產(chǎn)(進(jìn)口)真空、六氟化硫、油高壓斷路器,負(fù)荷開(kāi)關(guān)、GIS接地刀閘開(kāi)關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開(kāi)關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。
抗擾通道:可抵禦550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電乾擾!再簡(jiǎn)單一點(diǎn),就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分,開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意,大多數(shù)場(chǎng)合特彆是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,開(kāi)關(guān)損害要遠(yuǎn)大於導(dǎo)通損耗。開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān),所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方麵解決:不能片麵根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管,因?yàn)閮?nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差彆太大了,選擇功率管時(shí),夠用就可以了。
位移通道:1路位移信號(hào)采集,適配耐用的精密電阻線(xiàn)性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶(hù)傳統(tǒng)自配的滑線(xiàn)電阻傳感器。
同步觸發(fā):可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無(wú)電位接點(diǎn)操作控製模塊,無(wú)彈跳接點(diǎn),接點(diǎn)開(kāi)斷容量: 30A,250V(AC/DC)
操作界麵:5.7″黑白液晶屏,菜單式操作,並在麵板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器,傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單;同時(shí)也可配置滑線(xiàn)電阻傳感器和角度傳感器;並配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架;在一些情況中,會(huì)出現(xiàn)抽點(diǎn)的間隔很大,使得實(shí)際用於的采樣率不足,這時(shí)係統(tǒng)會(huì)給出提示。非提示如所示,提示出現(xiàn)在屏幕左上方,從事件表可以看到,波形中間出現(xiàn)了部分錯(cuò)誤的幀,這種錯(cuò)誤是采樣率不足導(dǎo)致的。需要注意的時(shí),出現(xiàn)這種提示時(shí),不一定就會(huì)出錯(cuò),它是一種警告。而當(dāng)我們真的不能正常時(shí),隻需要按照係統(tǒng)提示的內(nèi)容進(jìn)行操作(如圖應(yīng)該減少時(shí)基),就能回歸狀態(tài)。這也是點(diǎn)中描述的全內(nèi)存約束。
速度定義:提供了常用的開(kāi)關(guān)速度定義庫(kù)和可編輯速度定義庫(kù)兩種模式可供用戶(hù)自行選擇。
錄波功能:12路普通金屬觸頭通斷、線(xiàn)圈電流;行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫(kù)功能,測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫(kù)斷路器型號(hào),無(wú)需特彆設(shè)置
U盤(pán)存儲(chǔ):可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤(pán),直接用上位機(jī)軟件打開(kāi)。
在線(xiàn)幫助:儀器內(nèi)置豐富的接線(xiàn)、安裝、測(cè)試操作幫助。無(wú)說(shuō)明書(shū)就能簡(jiǎn)單使用。測(cè)試采用TOS2000B係列示波器外觀如下圖:測(cè)試步驟如下:1.電壓衰減設(shè)置→2.采集通道調(diào)試→3.觸發(fā)控製→4.光標(biāo)測(cè)量讀數(shù)設(shè)置1.電壓衰減設(shè)置電壓有不同的衰減係數(shù),這些係數(shù)影響信號(hào)的垂直刻度。檢查向?qū)?yàn)證示波器的衰減係數(shù)是否與匹配。作為檢查的替代方法,您可以手動(dòng)選擇與衰減相匹配的係數(shù)。,要與連接到CH1的設(shè)置為10X的相匹配,請(qǐng)按下通道1“Menu(菜單)”“”“電壓”“衰減”選項(xiàng),然後選擇10X。